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高壓MOS 國內(nèi)產(chǎn)品存在問題：

產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)：
高溫（150℃）漏電大；
電磁輻射EMI難解決；
產(chǎn)品品質(zhì)：
老化考核後產(chǎn)品擊穿電壓跌落；
可靠性難以符合工業(yè)要求；
同質(zhì)化嚴(yán)重，技術(shù)陳舊，晶片面積大。

瑞森核心技術(shù)：

新型的橫向變摻雜技術(shù)；
專有的功率MOS結(jié)構(gòu)；
高溫特性優(yōu)良。