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氧化硅拋光液(也稱膠態(tài)二氧化硅拋光液)是化學機械拋光(CMP)工藝中的核心耗材,核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用,實現(xiàn)硬脆材料表面高效大余量平坦化加工,精準控制材料去除速率,確保拋光工件達到基礎(chǔ)平坦、無深度損傷的加工表面要求。
高效實現(xiàn)大余量平坦化,兼顧去料效率與制程銜接性。
“高效大余量平坦化” 是行業(yè)核心要求,指通過拋光快速去除基材加工余量、修正表面形貌,將材料表面平整度控制在適配后續(xù)中精拋的標準范圍,實現(xiàn)無深劃痕、無崩邊的均勻加工表面,以實現(xiàn):
銘衍海氧化硅拋光液 MYH-SOP150 產(chǎn)品特點
銘衍海氧化硅拋光液 MYH-SOP150 應(yīng)用范圍
氧化硅拋光液主要用于各類高硬度硬脆材料與器件的化學機械粗拋 / 粗精拋加工,核心作用是高效去除加工余量、修正基材表面形貌、實現(xiàn)基礎(chǔ)平坦化,為后續(xù)中拋、精拋工序奠定優(yōu)質(zhì)基礎(chǔ),適用產(chǎn)品如下:
一、半導(dǎo)體晶圓與襯底(核心應(yīng)用)
單晶硅 / 多晶硅晶圓粗拋、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物半導(dǎo)體襯底粗精拋
半導(dǎo)體封裝基板、晶圓級封裝器件前期基礎(chǔ)拋光
二、光學晶體與光學器件
藍寶石襯底(LED / 光學專用)粗拋、石英晶體、光學玻璃粗精拋
鈮酸鋰(LN)/ 鉭酸鋰(LT)晶體前期去料、紅外光學晶體基礎(chǔ)形貌修正
三、精密陶瓷與電子器件
氧化鋯陶瓷、氧化鋁精密陶瓷器件粗拋
硬盤基片前期基礎(chǔ)拋光、玻璃蓋板粗精拋、精密金屬基片表面大余量研磨
四、特種精密器件與基材
光纖連接器插芯前期粗研磨、保偏光纖器件基礎(chǔ)平坦化
微電子機械系統(tǒng)(MEMS)器件基材粗拋、特種石英器件、稀土摻雜光學基材粗精拋
常見類型
專用粗拋液:僅用于粗拋 / 粗精拋工序,切削力極強、去料速率高,適配規(guī);咝Ъ庸ば枨蟆
多段式拋光液:兼顧粗拋與中拋,適配簡易加工制程,簡化操作流程、減少工序切換成本。
定制化拋光液:可根據(jù)客戶需求調(diào)整粒徑、固含量、pH 值,適配特殊高硬度硬脆材質(zhì) / 工藝拋光。
儲存與使用
溫度:5℃ ~ 35℃,防凍(<0℃磨粒結(jié)塊失效)、防高溫(>35℃破壞體系穩(wěn)定性)、防曬避光密封存放。
使用前:充分攪拌均勻,確保磨粒分散一致;可原液使用或按 1:1~1:10 比例用去離子水稀釋,稀釋后再次充分攪勻,避免濃度不均影響拋光效果。